GaN
氮化镓(GaN)是一种具有较大禁带宽度的半导体,属于宽禁带半导体之列。氮化镓是微波功率晶体管的优良材料,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的抗辐照能力。
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